نمایش نتایج جستجو برای
نویسنده: Seyed Ebrahim Hosseini
موارد یافت شده: 22
1 - بررسی مشخصه منفی در ترانزیستور لایه نازک (چکیده)2 - Modeling SOI-MOSFET Using Neuro Space Mapping (چکیده)
3 - The Effects of Random Distribution Fluctuations of Dopants on SOI-MOSFET Performance (چکیده)
4 - یک BJT جانبی لایه نازک با بهره بالا بر روی زیرپایه SOI (چکیده)
5 - NOVEL STRUCTURES FOR CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTORS (چکیده)
6 - ارائه یک ترانزیستور دوقطبی با کنترل بهره (چکیده)
7 - محاسبه جریان تونل زنی اکسید گیت درMOSFET های کانال کوتاه (چکیده)
8 - Reducing Short Channel Effects in Dual Gate SOI-MOSFETs with a Drain Dependent Gate Bias (چکیده)
9 - بررسی عملکرد یک ترانزیستور ترکیبی BJT و FET لایه نازک (چکیده)
10 - معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی (چکیده)
11 - DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate (چکیده)
12 - A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer (چکیده)
13 - Numerical Investigate of Base Doping for Minimum Base Transit Time (چکیده)
14 - An analytical gate tunneling current model for MOSFETs (چکیده)
15 - تصحیح کوانتومی ادوات نیمه هادی با نگاشت فضایی عصبی (چکیده)
16 - IMPROVED PERFORMANCE OF 4H-SIC MESFETS USING MIDDLE RECESSED STRUCTURE WITH DUAL CHANNEL LAYER (چکیده)
17 - Two-Dimensional Analytical Modeling of Fully Depleted Short-Channel Dual-Gate Silico-on-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (چکیده)
18 - Modeling Semiconductor Device by Using Neuro Space Mapping (چکیده)
19 - Accurate Analytical Model for Current–Voltage and Small-Signal Characteristics of AlmGa1_mN/GaN Modulation-Doped Field-Effect Transistors (چکیده)
20 - Analytical modelling of gate tunneling current of MOSFETs based on quantum tunneling (چکیده)
21 - Investigation of the novel attributes in double recessed gate SiC MESFETs at drain side (چکیده)
22 - Neuro-fuzzy based constraint programming (چکیده)
